Demo entry 6363559

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Submitted by lu on May 14, 2017 at 05:03
Language: C. Code size: 3.0 kB.

#ifndef __DS1_H
#define __DS1_H	

#include<reg52.h> 
#include<intrins.h>

/************************************************************************
以下是DS18B20的操作程序
 ************************************************************************/ 
sbit DQ1=P2^5;
unsigned char time;   //设置全局变量,专门用于严格延时
/*****************************************************
函数功能:将DS18B20传感器初始化,读取应答信号
出口参数:flag 
***************************************************/
bit Init_DS18B20_1(void)	
{
 bit flag;         //储存DS18B20是否存在的标志,flag=0,表示存在;flag=1,表示不存在
 DQ1 = 1;           //先将数据线拉高
 for(time=0;time<2;time++) //略微延时约6微秒
     ;
 DQ1 = 0;           //再将数据线从高拉低,要求保持480~960us
 for(time=0;time<200;time++)  //略微延时约600微秒
     ;         //以向DS18B20发出一持续480~960us的低电平复位脉冲 
 DQ1 = 1;           //释放数据线(将数据线拉高) 
  for(time=0;time<10;time++)
     ;  //延时约30us(释放总线后需等待15~60us让DS18B20输出存在脉冲)
 flag=DQ1;          //让单片机检测是否输出了存在脉冲(DQ1=0表示存在)      
 for(time=0;time<200;time++)  //延时足够长时间,等待存在脉冲输出完毕
      ;
 return (flag);    //返回检测成功标志
}
/*****************************************************
函数功能:从DS18B20读取一个字节数据
出口参数:dat
***************************************************/ 
unsigned char ReadOneChar_1(void)
 {
		unsigned char i=0;	
		unsigned char dat;  //储存读出的一个字节数据
		for (i=0;i<8;i++)
		 {
		   
		   DQ1 =1;       // 先将数据线拉高
		   _nop_();	    //等待一个机器周期	 
		   DQ1 = 0;      //单片机从DS18B20读数据时,将数据线从高拉低即启动读时序
			dat>>=1;
		   _nop_();     //等待一个机器周期		   
		   DQ1 = 1;     //将数据线"人为"拉高,为单片机检测DS18B20的输出电平作准备
		   for(time=0;time<2;time++)
             ;      //延时约6us,使主机在15us内采样
		   if(DQ1==1)
		      dat|=0x80;  //如果读到的数据是1,则将1存入dat
			else
				dat|=0x00;//如果读到的数据是0,则将0存入dat
		     //将单片机检测到的电平信号DQ1存入r[i]	
		   for(time=0;time<8;time++)
		      	;              //延时3us,两个读时序之间必须有大于1us的恢复期	
	    }	                    
	 return (dat);    //返回读出的十进制数据
}
/*****************************************************
函数功能:向DS18B20写入一个字节数据
入口参数:dat
***************************************************/  
WriteOneChar_1(unsigned char dat)
{
	unsigned char i=0;
	for (i=0; i<8; i++)
		 {
		  DQ1 =1;         // 先将数据线拉高
		  _nop_();	     //等待一个机器周期	 
		  DQ1=0;          //将数据线从高拉低时即启动写时序       
		  DQ1=dat&0x01;   //利用与运算取出要写的某位二进制数据,
                       //并将其送到数据线上等待DS18B20采样	
		 for(time=0;time<10;time++)	
		     ;//延时约30us,DS18B20在拉低后的约15~60us期间从数据线上采样
		  DQ1=1;          //释放数据线		    
		  for(time=0;time<1;time++)
			  ;//延时3us,两个写时序间至少需要1us的恢复期
		  dat>>=1;       //将dat中的各二进制位数据右移1位
		 }
	  for(time=0;time<4;time++)
	              ; //稍作延时,给硬件一点反应时间
}
void ReadyReadTemp_1(void)
{
		Init_DS18B20_1();     //将DS18B20初始化
		WriteOneChar_1(0xCC); // 跳过读序号列号的操作
		WriteOneChar_1(0x44); // 启动温度转换	  
		for(time=0;time<100;time++)
		;	 //温度转换需要一点时间
		Init_DS18B20_1();     //将DS18B20初始化
		WriteOneChar_1(0xCC); //跳过读序号列号的操作
		WriteOneChar_1(0xBE); //读取温度寄存器,前两个分别是温度的低位和高位	
}

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